IR2103PBF,8639590,双路芯片, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, DIP-8,INFINEON
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IR2103PBF - 

双路芯片, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, DIP-8

INFINEON IR2103PBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IR2103PBF
仓库库存编号:
8639590
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IR2103PBF产品概述

The IR2103PBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Half-Bridge Driver with dependent high and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600V.
  • Floating channel designed for bootstrap operation
  • Tolerant to negative transient voltage (dV/dt immune)
  • Under-voltage lockout
  • 3.3, 5 and 15V Logic input compatible
  • Cross-conduction prevention logic
  • Matched propagation delay for both channels
  • Internal set dead-time
  • High-side output in phase with HIN input
  • Low-side output out of phase with LIN input

电源管理

IR2103PBF产品信息

  驱动配置  半桥  
  输出电流峰值  360mA  
  电源电压最小值  10V  
  电源电压最大值  20V  
  驱动器封装类型  DIP  
  针脚数  8引脚  
  输入延迟  680ns  
  输出延迟  150ns  
  工作温度最小值  -40°C  
  工作温度最高值  125°C  
  封装  每个  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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IR2103PBF产地与重量

原产地:
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85423990
重量(千克):
.002117
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