IS43TR16640A-15GBLI,2409131,芯片, 存储器, SDRAM, DDR3, 1GB, 1333MT/S, FBGA-96,INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
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IS43TR16640A-15GBLI - 

芯片, 存储器, SDRAM, DDR3, 1GB, 1333MT/S, FBGA-96

INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS43TR16640A-15GBLI
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制造商产品编号：
IS43TR16640A-15GBLI
仓库库存编号：
2409131
技术数据表：
(EN)
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IS43TR16640A-15GBLI
库存编号:IS43TR16640A-15GBLI-ND		 Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 1GBIT PAR 96TWBGA0
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IS43TR16640A-15GBLI-TR
库存编号:IS43TR16640A-15GBLI-TR-ND		 Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 1GBIT PAR 96TWBGA0
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IS43TR16640A-15GBLI产品概述

The IS43TR16640A-15GBLI is a 1Gb DDR3 SDRAM supports 1333MT/s data rate. It has high speed data transfer rates with system frequency up to 933MHz, 8 internal banks for concurrent operation and 8-bit pre-fetch architecture. CK and CK# are differential clock inputs. All address and control input signals are sampled on the crossing of the positive edge of CK and negative edge of CK#. CKE HIGH activates and CKE Low deactivates, internal clock signals and device input buffers and output drivers. All commands are masked when CS# is registered HIGH. CS# provides for external Rank selection on systems with multiple Ranks. CS# is considered part of the command code. On Die Termination: ODT (registered HIGH) enables termination resistance internal to the DDR3 SDRAM. When enabled, ODT is only applied to each DQ, DQSU, DQSU#, DQSL, DQSL#, DMU and DML signal. The ODT pin will be ignored if MR1 and MR2 are programmed to disable RTT.
  • VDD and VDDQ = 1.5V ±0.075V Standard Voltage
  • VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V Low voltage (L)
  • 5, 6, 7, 8, 9, 10 and 11 Programmable CAS latency
  • 0, CL-1, CL-2 Programmable additive latency
  • Programmable CAS WRITE latency (CWL) based on tCK
  • 4 and 8 programmable burst length
  • Sequential or interleave programmable burst sequence
  • BL switch on the fly
  • Auto Self Refresh (ASR)
  • Self refresh temperature (SRT)
  • Partial array self refresh
  • Asynchronous RESET pin
  • TDQS (termination data strobe) supported (x8 only)
  • OCD (Off-Chip Driver impedance adjustment)
  • Dynamic ODT (On-Die Termination)
  • Driver strength - RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240R)
  • Write levelling

工业, 商业, 车用

IS43TR16640A-15GBLI产品信息

  DRAM 内存配置  64M x 16位  
  存取时间  12ns  
  页面尺寸  16Kbit  
  针脚数  96引脚  
  封装类型  FBGA  
  工作温度最小值  -40°C  
  工作温度最高值  95°C  
  芯片接口类型  -  
  封装  剪切带  
  产品范围  -  
  MSL  MSL 3 - 168小时  
关键词         

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型号 制造商 描述 操作
IS43TR16640A-15GBLI
[更多]		 Integrated Silicon Solution Inc

IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IS43TR16640A-15GBLI-TR
[更多]		 Integrated Silicon Solution Inc

IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA

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型号 制造商 描述 操作
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DRAM 1G, 1.5V, (64M x 16) 1300Mhz DDR3 SDRAM

RoHS: Compliant

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IS43TR16640A-15GBLI-TR
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DRAM 1G, 1.5V, (64M x 16) 1300MT/s DDR3

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型号 制造商 描述 操作
IS43TR16640A-15GBLI
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DRAM Chip DDR3 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.5V 96-Pin F-BGA (Alt: IS43TR16640A-15GBLI)

RoHS: Compliant

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DRAM Chip DDR3 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.5V 96-Pin F-BGA (Alt: IS43TR16640A-15GBLI)

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IS43TR16640A-15GBLI-TR
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DRAM Chip DDR3 SDRAM 1G-Bit 64M x 16 1.5V 96-Pin TWBGA T/R (Alt: IS43TR16640A-15GBLI-TR)

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DRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.5V 96-Pin TW-BGA

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DRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.5V 96-Pin TW-BGA

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DRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.5V 96-Pin TW-BGA

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DRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.5V 96-Pin TW-BGA

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DRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.5V 96-Pin TW-BGA T/R

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SDRAM, DDR3, 1GB, 1333MT/S, FBGA-96

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IS43TR16640A-15GBLI
INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS43TR16640A-15GBLI		2409131

INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)

芯片, 存储器, SDRAM, DDR3, 1GB, 1333MT/S, FBGA-96

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IS43TR16640A-15GBLI|ISSIIS43TR16640A-15GBLI
ISSI		动态随机存取存储器 1G, 1.5V, (64M x 16) DDR3
Rohs

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IS43TR16640A-15GBLI-TR|ISSIIS43TR16640A-15GBLI-TR
ISSI		动态随机存取存储器 1G, 1.5V, (64M x 16) DDR3
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无图IS43TR16640A-15GBLI
ISSI		动态随机存取存储器 1G, 1.5V, (64M x 16) DDR3
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ISSI		动态随机存取存储器 1G, 1.5V, (64M x 16) DDR3
Rohs

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IS43TR16640A-15GBLI产地与重量

原产地：
Taiwan

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85423239
重量（千克）：
.001
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