SPP80P06PHXKSA1,2432734,晶体管, MOSFET, P沟道, -80 A, -60 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 V,INFINEON
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SPP80P06PHXKSA1 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -80 A, -60 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 V

INFINEON SPP80P06PHXKSA1
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制造商产品编号：
SPP80P06PHXKSA1
仓库库存编号：
2432734
技术数据表：
(EN)
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SPP80P06PHXKSA1产品概述

The SPP80P06P H is a SIPMOS? P-channel enhancement mode Power Transistor. This transistor consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.
  • ±20V Gate-source voltage
  • Avalanche rated
  • Halogen-free

电源管理, 车用, 消费电子产品

SPP80P06PHXKSA1产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -80A  
  漏源电压, Vds  -60V  
  在电阻RDS（上）  0.021ohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -3V  
  功耗 Pd  340W  
  晶体管封装类型  TO-220  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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SPP80P06PHXKSA1产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000907
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