SPP11N60C3HKSA1,1056549,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 380 mohm, 10 V, 3 V,INFINEON

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SPP11N60C3HKSA1 -

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 380 mohm, 10 V, 3 V

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制造商：: INFINEON INFINEON
制造商产品编号：: SPP11N60C3HKSA1
仓库库存编号：: 1056549
技术数据表：: (EN)

订购热线： 400-900-3095 0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com

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SPP11N60C3HKSA1产品概述

The SPP11N60C3 is a 650V N-channel CoolMOS™ Power MOSFET with low specific on-state resistance. The CoolMOS™ MOSFET offers a significant reduction of conduction, switching and driving losses and enable high power density and efficiency for superior power conversion systems. The latest state-of-the-art generation of high voltage power MOSFETs makes AC-DC power supplies more efficient, more compact, lighter and cooler than ever before.

Very low energy storage in output capacitance (Eoss) at 400V
Low gate charge (Qg)
High efficiency and power density
Outstanding performance
High reliability
Easy to use

计算机和计算机周边, 通信与网络, 消费电子产品, 电源管理

SPP11N60C3HKSA1产品信息

邮箱：sales@szcwdz.com
Q Q：800152669
手机网站：m.szcwdz.com

SPP11N60C3HKSA1产地与重量

原产地：: Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规：: 是
税则号：: 85412900
重量（千克）：: .027216

美国1号品牌选型新加坡2号品牌选型

英国2号品牌选型英国10号品牌选型

日本5号品牌选型

晶体管极性	N沟道
电流, Id 连续	11A
漏源电压, Vds	650V
在电阻RDS（上）	0.38ohm
电压 @ Rds测量	10V
阈值电压 Vgs	3V
功耗 Pd	125W
晶体管封装类型	TO-220
针脚数	3引脚
工作温度最高值	150°C
产品范围	-
MSL	-
关键词

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功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 380 mohm, 10 V, 3 V

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