SPP06N80C3XKSA1,2480714,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 800 V, 0.78 ohm, 10 V, 3 V,INFINEON
laird代理商
专业代理销售laird（莱尔德）全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

SPP06N80C3XKSA1 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 800 V, 0.78 ohm, 10 V, 3 V

INFINEON SPP06N80C3XKSA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
SPP06N80C3XKSA1
仓库库存编号：
2480714
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

SPP06N80C3XKSA1产品概述

The SPP06N80C3 is a 800V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate current. It is designed for high DC bulk voltage and switching applications.
  • New revolutionary high voltage technology
  • Extreme dV/dt rated
  • High peak current capability
  • Qualified according to JEDEC for target applications
  • Ultra low effective capacitance
  • Low specific ON-state resistance
  • Very low energy storage in output capacitance (Eoss)@400V
  • Field proven CoolMOS™ quality
  • High efficiency and power density
  • Outstanding performance
  • High reliability
  • Ease of use

工业, 消费电子产品, 电源管理, 照明, 替代能源

SPP06N80C3XKSA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  6A  
  漏源电压, Vds  800V  
  在电阻RDS（上）  0.78ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  83W  
  晶体管封装类型  TO-220  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

SPP06N80C3XKSA1相关搜索

晶体管极性 N沟道  INFINEON 晶体管极性 N沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 晶体管极性 N沟道  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 晶体管极性 N沟道   电流, Id 连续 6A  INFINEON 电流, Id 连续 6A  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电流, Id 连续 6A  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电流, Id 连续 6A   漏源电压, Vds 800V  INFINEON 漏源电压, Vds 800V  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 漏源电压, Vds 800V  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 漏源电压, Vds 800V   在电阻RDS（上） 0.78ohm  INFINEON 在电阻RDS（上） 0.78ohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 在电阻RDS（上） 0.78ohm  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 在电阻RDS（上） 0.78ohm   电压 @ Rds测量 10V  INFINEON 电压 @ Rds测量 10V  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电压 @ Rds测量 10V  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电压 @ Rds测量 10V   阈值电压 Vgs 3V  INFINEON 阈值电压 Vgs 3V  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 阈值电压 Vgs 3V  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 阈值电压 Vgs 3V   功耗 Pd 83W  INFINEON 功耗 Pd 83W  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 功耗 Pd 83W  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 功耗 Pd 83W   晶体管封装类型 TO-220  INFINEON 晶体管封装类型 TO-220  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 晶体管封装类型 TO-220  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 晶体管封装类型 TO-220   针脚数 3引脚  INFINEON 针脚数 3引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 针脚数 3引脚  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 针脚数 3引脚   工作温度最高值 150°C  INFINEON 工作温度最高值 150°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 工作温度最高值 150°C  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 工作温度最高值 150°C   产品范围 -  INFINEON 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 产品范围 -  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 产品范围 -   MSL MSL 1 -无限制  INFINEON MSL MSL 1 -无限制  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) MSL MSL 1 -无限制  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) MSL MSL 1 -无限制  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

SPP06N80C3XKSA1产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.002008
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有：深圳市创唯电子有限公司 客服电话：400-900-3095 企业QQ：800152669 邮箱:sales@szcwdz.com