SPP06N60C3,1471802,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 600 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V,INFINEON
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SPP06N60C3 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 600 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V

INFINEON SPP06N60C3
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制造商产品编号:
SPP06N60C3
仓库库存编号:
1471802
技术数据表:
(EN)
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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SPP06N60C3XKSA1
库存编号:2156-SPP06N60C3XKSA1-448-ND
Rochester Electronics LLC SPP06N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE0
247起订
247+
¥15.2
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SPP06N60C3XKSA1
库存编号:SPP06N60C3XKSA1-ND
Infineon Technologies AG LOW POWER_LEGACY0
247起订
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SPP06N60C3HKSA1
库存编号:SPP06N60C3HKSA1-ND
Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 650V 6.2A TO220-30
500起订
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¥11.95
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SPP06N60C3XKSA1
库存编号:86029035
Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 650V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube0
273起订
273+
500+
1000+
¥18.45
¥17.61
¥16.68
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SPP06N60C3产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  6.2A  
  漏源电压, Vds  600V  
  在电阻RDS(上)  0.68ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  74W  
  晶体管封装类型  TO-220  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  -  
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型号 制造商 描述 操作
SPP06N60C3XKSA1
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Infineon Technologies AG

LOW POWER_LEGACY

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
SPP06N60C3XKSA1
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Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 650V 6.2A TO220-3

RoHS: Compliant

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SPP06N60C3
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Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 650V 6.2A TO220-3 CoolMOS C3

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SPP06N60C3XKSA1
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 650V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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SPP06N60C3XKSA1
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 650V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

RoHS: Compliant

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SPP06N60C3XKSA1
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Trans MOSFET N-CH 650V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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SPP06N60C3XKSA1
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 650V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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SPP06N60C3
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Infineon Technologies AG  

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Infineon Technologies - SPP06N60C3HKSA1 - MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220

详细描述:通孔 N 沟道 650V 6.2A(Tc) 74W(Tc) PG-TO220-3-1

型号:SPP06N60C3HKSA1
仓库库存编号:SPP06N60C3HKSA1-ND
别名:SP000014697 <br>SPP06N60C3 <br>SPP06N60C3-ND <br>SPP06N60C3IN <br>SPP06N60C3IN-ND <br>SPP06N60C3X <br>SPP06N60C3XK <br>

无铅
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Infineon Technologies - SPP06N60C3XKSA1 - LOW POWER_LEGACY
Infineon Technologies
LOW POWER_LEGACY


型号:SPP06N60C3XKSA1
仓库库存编号:SPP06N60C3XKSA1-ND
别名:SP000681028 <br>

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SPP06N60C3|INFINEONSPP06N60C3
INFINEON
场效应管 MOSFET N型 600V TO-220
Rohs

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无图SPP06N60C3XK
Infineon Technologies
原厂原装货
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SPP06N60C3|INFINEONSPP06N60C3
INFINEON
场效应管 MOSFET N型 600V TO-220
Rohs

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SPP06N60C3|Infineon TechnologiesSPP06N60C3
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220
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SPP06N60C3
INFINEON SPP06N60C3
1471802

INFINEON

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 600 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - SPP06N60C3 - Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPP06N60C3, 6.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号:
SPP06N60C3
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2175
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SPP06N60C3|Infineon TechnologiesSPP06N60C3
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220
Rohs

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SPP06N60C3产地与重量

原产地:
South Korea

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.0018
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