SPP02N80C3XKSA1,2480723,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 800 V, 2.4 ohm, 10 V, 3 V,INFINEON
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SPP02N80C3XKSA1 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 800 V, 2.4 ohm, 10 V, 3 V

INFINEON SPP02N80C3XKSA1
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制造商产品编号：
SPP02N80C3XKSA1
仓库库存编号：
2480723
技术数据表：
(EN)
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SPP02N80C3XKSA1产品概述

The SPP02N80C3 is a 800V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate current. It is designed for high DC bulk voltage and switching applications.
  • New revolutionary high voltage technology
  • Extreme dV/dt rated
  • High peak current capability
  • Qualified according to JEDEC for target applications
  • Ultra low effective capacitance
  • Low specific ON-state resistance
  • Very low energy storage in output capacitance (Eoss)@400V
  • Field proven CoolMOS™ quality
  • High efficiency and power density
  • Outstanding performance
  • High reliability
  • Ease of use

工业, 消费电子产品, 电源管理, 照明, 替代能源

SPP02N80C3XKSA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  2A  
  漏源电压, Vds  800V  
  在电阻RDS（上）  2.4ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  42W  
  晶体管封装类型  TO-220  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  MSL 3 - 168小时  
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SPP02N80C3XKSA1产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.002008
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