SPD18P06PGBTMA1,2212859,晶体管, MOSFET, P沟道, -18.6 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V,INFINEON

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SPD18P06PGBTMA1 -

晶体管, MOSFET, P沟道, -18.6 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V

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制造商：: INFINEON INFINEON
制造商产品编号：: SPD18P06PGBTMA1
仓库库存编号：: 2212859
技术数据表：: (EN)

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SPD18P06PGBTMA1产品概述

The SPD18P06P G is a -60V P-channel Power MOSFET that consistently meets highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and Figure of Merit characteristics.

Enhancement mode
Avalanche rated
dv/dt Rated
AEC-Q101 qualified

车用, 消费电子产品, 电源管理, 电机驱动与控制, 计算机和计算机周边

SPD18P06PGBTMA1产品信息

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SPD18P06PGBTMA1产地与重量

原产地：: Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规：: 是
税则号：: 85412900
重量（千克）：: .0003

美国1号品牌选型新加坡2号品牌选型

英国2号品牌选型英国10号品牌选型

日本5号品牌选型

晶体管极性	P沟道
电流, Id 连续	-18.6A
漏源电压, Vds	-60V
在电阻RDS（上）	0.1ohm
电压 @ Rds测量	-10V
阈值电压 Vgs	-3V
功耗 Pd	80W
晶体管封装类型	TO-252
针脚数	3引脚
工作温度最高值	175°C
产品范围	-
汽车质量标准	AEC-Q101
MSL	MSL 1 -无限制
关键词

SPD18P06PGBTMA1 -

晶体管, MOSFET, P沟道, -18.6 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V

SPD18P06PGBTMA1产品概述

SPD18P06PGBTMA1产品信息

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EDSYN

焊锡膏, 注射器, 221 °C, 10 g

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