SPB20N60S5,1214264,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 4.5 V,INFINEON
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SPB20N60S5 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 4.5 V

INFINEON SPB20N60S5
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制造商产品编号:
SPB20N60S5
仓库库存编号:
1214264
技术数据表:
(EN)
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SPB20N60S5产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  20A  
  漏源电压, Vds  600V  
  在电阻RDS(上)  0.16ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  4.5V  
  功耗 Pd  208W  
  晶体管封装类型  TO-263  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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型号 制造商 描述 操作
SPB20N60S5
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Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 600V 20A D2PAK-2 CoolMOS S5

RoHS: Compliant

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SPB20N60S5ATMA1
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Infineon Technologies AG

MOSFET HIGH POWER_LEGACY

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型号 制造商 描述 操作
SPB20N60S5XT
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-263 - Tape and Reel (Alt: SPB20N60S5ATMA1)

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SPB20N60S5ATMA1
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

RoHS: Compliant

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SPB20N60S5ATMA1
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

RoHS: Compliant

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SPB20N60S5
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Infineon Technologies AG

MOSFET, N, D2-PAK

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SPB20N60S5|INFINEONSPB20N60S5
INFINEON
场效应管 MOSFET N D2-PAK
Rohs

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无图SPB20N60S5XT
Infineon Technologies
原厂原装货
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SPB20N60S5
INFINEON SPB20N60S5
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INFINEON

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 4.5 V

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SPB20N60S5|Infineon TechnologiesSPB20N60S5
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20A TO-263
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SPB20N60S5产地与重量

原产地:
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.0015
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