IRLS3036-7PPBF,1698311,晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 60 V, 0.0015 ohm, 4.5 V, 2.5 V,INFINEON
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IRLS3036-7PPBF - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 60 V, 0.0015 ohm, 4.5 V, 2.5 V

INFINEON IRLS3036-7PPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IRLS3036-7PPBF
仓库库存编号：
1698311
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRLS3036-7PPBF产品概述

The IRLS3036-7PPBF is a 60V single N-channel HEXFET Power MOSFET for high efficiency synchronous rectification in SMPS. It is optimized for logic level drive and features improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness. The MOSFET is used in high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.
  • Very low RDS(ON) at 4.5V VGS
  • Superior R*Q at 4.5V VGS
  • Fully characterized capacitance and avalanche SOA
  • Enhanced body diode dv/dt and dI/dt capability
  • Trench MOSFET technology
  • ±16V Gate to source voltage
  • 2.5W/°C Linear derating factor
  • 0.40°C/W Thermal resistance, junction to case
  • 40°C/W Thermal resistance, junction to ambient

电机驱动与控制, 电源管理, 工业

IRLS3036-7PPBF产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  180A  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS（上）  0.0015ohm  
  电压 @ Rds测量  4.5V  
  阈值电压 Vgs  2.5V  
  功耗 Pd  380W  
  晶体管封装类型  TO-263  
  针脚数  7引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

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IRLS3036-7PPBF产地与重量

原产地：
Mexico

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00245
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