IRFR4105ZTRPBF,2725969,晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 0.019 ohm, 10 V, 4 V,INFINEON
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IRFR4105ZTRPBF - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 0.019 ohm, 10 V, 4 V

INFINEON IRFR4105ZTRPBF
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制造商产品编号：
IRFR4105ZTRPBF
仓库库存编号：
2725969
技术数据表：
(EN)
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IRFR4105ZTRPBF产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  30A  
  漏源电压, Vds  55V  
  在电阻RDS（上）  0.019ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  4V  
  功耗 Pd  48W  
  晶体管封装类型  TO-252AA  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  HEXFET Series  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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型号 制造商 描述 操作
IRFR4105ZTRPBF
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MOSFET N-CH 55V 30A DPAK

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IRFR4105ZTRPBF
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IRFR4105ZTRPBF
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MOSFET MOSFT 55V 30A 24.5mOhm 18nC Qg

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Trans MOSFET N-CH Si 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRFR4105ZTRPBF
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Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: IRFR4105ZTRPBF)

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Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Tape and Reel (Alt: IRFR4105ZTRPBF)

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Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: IRFR4105ZTRPBF)

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MOSFET, N-CH, 55V, 30A, TO-252AA

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Single N-Channel 55V 24.5 mOhm 18 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-252AA

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Single N-Channel 55V 24.5 mOhm 18 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-252AA

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Single N-Channel 55V 24.5 mOhm 18 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-252AA

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IRFR4105ZTRPBF
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IRFR4105ZTRPBF N-channel MOSFET Transistor, 30 A, 55 V, 3-Pin TO-252AA

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IRFR4105ZTRPBF|International RectifierIRFR4105ZTRPBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
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Infineon Technologies - IRFR4105ZTRPBF - MOSFET N-CH 55V 30A DPAK		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） D-Pak

型号：IRFR4105ZTRPBF
仓库库存编号：IRFR4105ZTRPBFCT-ND
别名：*IRFR4105ZTRPBF <br>IRFR4105ZPBFCT <br>IRFR4105ZPBFCT-ND <br>

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IRFR4105ZTRPBF
INFINEON IRFR4105ZTRPBF		2725969

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晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 0.019 ohm, 10 V, 4 V

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IRFR4105ZTRPBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR4105ZTRPBF, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252AA封装
制造商零件编号：
IRFR4105ZTRPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
827-4066
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRFR4105ZTRPBF产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.0004
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