IRF9530NSTRLPBF,2725930,晶体管, MOSFET, P沟道, -14 A, -100 V, 0.2 ohm, -10 V, -4 V,INFINEON
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IRF9530NSTRLPBF
IRF9530NSTRLPBF -
晶体管, MOSFET, P沟道, -14 A, -100 V, 0.2 ohm, -10 V, -4 V
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制造商:
INFINEON
INFINEON
制造商产品编号:
IRF9530NSTRLPBF
仓库库存编号:
2725930
技术数据表:
(EN)
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400-900-3095 0755-21000796, QQ:
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IRF9530NSTRLPBF产品信息
晶体管极性
P沟道
电流, Id 连续
-14A
漏源电压, Vds
-100V
在电阻RDS(上)
0.2ohm
电压 @ Rds测量
-10V
阈值电压 Vgs
-4V
功耗 Pd
79W
晶体管封装类型
TO-263AB
针脚数
3引脚
工作温度最高值
175°C
产品范围
HEXFET Series
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
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电流, Id 连续 -14A
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -14A
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漏源电压, Vds -100V
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在电阻RDS(上) 0.2ohm
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电压 @ Rds测量 -10V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V
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阈值电压 Vgs -4V
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功耗 Pd 79W
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晶体管封装类型 TO-263AB
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针脚数 3引脚
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚
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工作温度最高值 175°C
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 175°C
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产品范围 HEXFET Series
INFINEON 产品范围 HEXFET Series
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 HEXFET Series
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制
INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制
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Q Q:
800152669
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IRF9530NSTRLPBF产地与重量
原产地:
Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412900
重量(千克):
.001
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
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