IRF9333PBF. - 

场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -9.2A, SOIC

IRF9333PBF.产品信息

IRF9333PBF.替代选择

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• SI4953ADY-T1-E3
  
• 1285445

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, 双P沟道, -30V, SOIC-8

  (EN)
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• SI4431CDY-T1-GE3.
  
• 1690216

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, P沟道, -9A, -30V

  (EN)
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• SI4435DDY-T1-E3.
  
• 1690217

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, P沟道, 30V, 11.4A

  (EN)
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• IRF9333TRPBF
  
• 1830577

• INFINEON

  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -9.2A, SOIC

  (EN)
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• IRF9333PBF
  
• 1831077

• INFINEON

  晶体管, MOSFET, P沟道, -9.2 A, -30 V, 15.6 mohm, -10 V, -1.8 V

  (EN)
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• SI4435DDY-T1-GE3
  
• 1858951

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, P沟道, -8.1 A, -30 V, 19.5 mohm, -10 V, -3 V

  (EN)
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• SI4953ADY-T1-GE3
  
• 1871363

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, 双P沟道, -30V, 4.9A

  (EN)
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• SI4435DDY-T1-GE3.
  
• 2125837

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, P沟道

  (EN)
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• SI9435BDY-T1-E3
  
• 9453458

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, P沟道, -5.7A, -30V, 2.5W

  (EN)
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IRF9333PBF.相关搜索

IRF9333PBF.产地与重量

原产地：

Thailand

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.000236