IRF7501TRPBF,2577224,双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.4 A, 20 V, 0.085 ohm, 4.5 V, 700 mV,INFINEON
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IRF7501TRPBF
IRF7501TRPBF -
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.4 A, 20 V, 0.085 ohm, 4.5 V, 700 mV
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
INFINEON
INFINEON
制造商产品编号:
IRF7501TRPBF
仓库库存编号:
2577224
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRF7501TRPBF产品信息
晶体管极性
双N沟道
电流, Id 连续
2.4A
漏源电压, Vds
20V
在电阻RDS(上)
0.085ohm
电压 @ Rds测量
4.5V
阈值电压 Vgs
700mV
功耗 Pd
1.25W
晶体管封装类型
μSOIC
针脚数
8引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
HEXFET Series
汽车质量标准
-
MSL
MSL 2 - 1年
关键词
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晶体管极性 双N沟道
INFINEON 晶体管极性 双N沟道
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电流, Id 连续 2.4A
INFINEON 电流, Id 连续 2.4A
双路场效应管MOSFET晶体管 电流, Id 连续 2.4A
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漏源电压, Vds 20V
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双路场效应管MOSFET晶体管 漏源电压, Vds 20V
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在电阻RDS(上) 0.085ohm
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双路场效应管MOSFET晶体管 在电阻RDS(上) 0.085ohm
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电压 @ Rds测量 4.5V
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双路场效应管MOSFET晶体管 电压 @ Rds测量 4.5V
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阈值电压 Vgs 700mV
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双路场效应管MOSFET晶体管 阈值电压 Vgs 700mV
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功耗 Pd 1.25W
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双路场效应管MOSFET晶体管 功耗 Pd 1.25W
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晶体管封装类型 μSOIC
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双路场效应管MOSFET晶体管 晶体管封装类型 μSOIC
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针脚数 8引脚
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双路场效应管MOSFET晶体管 针脚数 8引脚
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工作温度最高值 150°C
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双路场效应管MOSFET晶体管 工作温度最高值 150°C
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产品范围 HEXFET Series
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双路场效应管MOSFET晶体管 产品范围 HEXFET Series
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汽车质量标准 -
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双路场效应管MOSFET晶体管 汽车质量标准 -
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MSL MSL 2 - 1年
INFINEON MSL MSL 2 - 1年
双路场效应管MOSFET晶体管 MSL MSL 2 - 1年
INFINEON 双路场效应管MOSFET晶体管 MSL MSL 2 - 1年
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
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IRF7501TRPBF产地与重量
原产地:
United States
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412900
重量(千克):
.5
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
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日本5号品牌选型
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