IRF6636TRPBF,2579983,晶体管, MOSFET, N沟道, 81 A, 20 V, 0.0032 ohm, 10 V, 2.45 V,INFINEON
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IRF6636TRPBF - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 81 A, 20 V, 0.0032 ohm, 10 V, 2.45 V

INFINEON IRF6636TRPBF
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制造商产品编号:
IRF6636TRPBF
仓库库存编号:
2579983
技术数据表:
(EN)
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IRF6636TRPBF产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  81A  
  漏源电压, Vds  20V  
  在电阻RDS(上)  0.0032ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2.45V  
  功耗 Pd  42W  
  晶体管封装类型  DirectFET ST  
  针脚数  7引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  HEXFET Series  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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IRF6636TRPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET

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MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET

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MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET (ST)

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Trans MOSFET N-CH 20V 18A 7-Pin Direct-FET ST T/R (Alt: IRF6636TRPBF)

RoHS: Compliant

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Trans MOSFET N-CH 20V 18A 7-Pin Direct-FET ST T/R (Alt: IRF6636TRPBF)

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Trans MOSFET N-CH 20V 18A 7-Pin Direct-FET ST T/R - Tape and Reel (Alt: IRF6636TRPBF)

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Trans MOSFET N-CH Si 20V 18A 7-Pin Direct-FET ST T/R

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IRF6636TRPBF
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MOSFET, N-CH, 20V, 81A, DIRECTFET ST

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IRF6636TRPBF
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A 20V SINGLE N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A DIRECTFET (ST) PACKAGERATED AT 8

RoHS: Compliant

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IRF6636TRPBF|International RectifierIRF6636TRPBF
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IRF6636TRPBF产地与重量

原产地:
Mexico

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.001
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