IRF6218PBF,1704022,晶体管, MOSFET, P沟道, -27 A, -150 V, 150 mohm, -10 V, -5 V,INFINEON
专业代理销售laird(莱尔德)全系列产品-新加坡2号仓库
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
Laird产品选型
按产品分类选型
按制造商选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
28B0500-100
IRF9540
保险丝
amphenol
4.7μF 63V 5mm
P沟道 8ohm SOT-23
2581138
新加坡2号仓库
>
半导体 - 分立器件
>
晶体管
>
MOSFET晶体管
>
场效应管MOSFET晶体管(600V以下)
>
IRF6218PBF
IRF6218PBF -
晶体管, MOSFET, P沟道, -27 A, -150 V, 150 mohm, -10 V, -5 V
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
INFINEON
INFINEON
制造商产品编号:
IRF6218PBF
仓库库存编号:
1704022
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IRF6218PBF产品概述
The IRF6218PBF is a -150V single P-channel HEXFET? Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.
175°C Operating temperature
Low gate to drain charge to reduce switching loss
Fully characterized capacitance and avalanche SOA
电源管理
IRF6218PBF产品信息
晶体管极性
P沟道
电流, Id 连续
-27A
漏源电压, Vds
-150V
在电阻RDS(上)
150mohm
电压 @ Rds测量
-10V
阈值电压 Vgs
-5V
功耗 Pd
250W
晶体管封装类型
TO-220AB
针脚数
3引脚
工作温度最高值
175°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
-
关键词
IRF6218PBF相关搜索
晶体管极性 P沟道
INFINEON 晶体管极性 P沟道
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道
INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道
电流, Id 连续 -27A
INFINEON 电流, Id 连续 -27A
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -27A
INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -27A
漏源电压, Vds -150V
INFINEON 漏源电压, Vds -150V
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -150V
INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -150V
在电阻RDS(上) 150mohm
INFINEON 在电阻RDS(上) 150mohm
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 150mohm
INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 150mohm
电压 @ Rds测量 -10V
INFINEON 电压 @ Rds测量 -10V
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V
INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V
阈值电压 Vgs -5V
INFINEON 阈值电压 Vgs -5V
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -5V
INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -5V
功耗 Pd 250W
INFINEON 功耗 Pd 250W
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 250W
INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 250W
晶体管封装类型 TO-220AB
INFINEON 晶体管封装类型 TO-220AB
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-220AB
INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-220AB
针脚数 3引脚
INFINEON 针脚数 3引脚
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚
INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚
工作温度最高值 175°C
INFINEON 工作温度最高值 175°C
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 175°C
INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 175°C
产品范围 -
INFINEON 产品范围 -
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -
INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -
汽车质量标准 -
INFINEON 汽车质量标准 -
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -
INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -
MSL -
INFINEON MSL -
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL -
INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL -
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
IRF6218PBF产地与重量
原产地:
Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412900
重量(千克):
.00204
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
laird电子简介
|
laird产品
|
laird动态
|
按系列选型
|
按产品规格选型
|
laird产品应用
|
laird选型手册
Copyright © 2017
www.laird-tek.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
版权所有:深圳市创唯电子有限公司 客服电话:400-900-3095 企业QQ:
800152669
邮箱:
sales@szcwdz.com