IPW65R150CFDFKSA1,2726082,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 22.4 A, 650 V, 0.135 ohm, 10 V, 4 V,INFINEON
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IPW65R150CFDFKSA1
IPW65R150CFDFKSA1 -
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 22.4 A, 650 V, 0.135 ohm, 10 V, 4 V
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制造商:
INFINEON
INFINEON
制造商产品编号:
IPW65R150CFDFKSA1
仓库库存编号:
2726082
技术数据表:
(EN)
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IPW65R150CFDFKSA1产品信息
晶体管极性
N沟道
电流, Id 连续
22.4A
漏源电压, Vds
650V
在电阻RDS(上)
0.135ohm
电压 @ Rds测量
10V
阈值电压 Vgs
4V
功耗 Pd
195.3W
晶体管封装类型
TO-247
针脚数
3引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
CoolMOS CFD2 Series
MSL
-
关键词
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晶体管极性 N沟道
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电流, Id 连续 22.4A
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漏源电压, Vds 650V
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在电阻RDS(上) 0.135ohm
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电压 @ Rds测量 10V
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阈值电压 Vgs 4V
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功耗 Pd 195.3W
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晶体管封装类型 TO-247
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针脚数 3引脚
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工作温度最高值 150°C
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场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 工作温度最高值 150°C
INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 工作温度最高值 150°C
产品范围 CoolMOS CFD2 Series
INFINEON 产品范围 CoolMOS CFD2 Series
场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 产品范围 CoolMOS CFD2 Series
INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 产品范围 CoolMOS CFD2 Series
MSL -
INFINEON MSL -
场效应管MOSFET晶体管(600V以上) MSL -
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Q Q:
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IPW65R150CFDFKSA1产地与重量
原产地:
China
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412100
重量(千克):
.0004
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