IPW60R160C6FKSA1,1860836,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 23.8 A, 600 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V,INFINEON
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IPW60R160C6FKSA1 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 23.8 A, 600 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V

INFINEON IPW60R160C6FKSA1
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制造商产品编号:
IPW60R160C6FKSA1
仓库库存编号:
1860836
技术数据表:
(EN)
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IPW60R160C6FKSA1产品概述

The IPW60R160C6 is a 600V CoolMOS™ C6 N-channel Power MOSFET features easy control of switching behaviour. This CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFET, designed according to the super-junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The CoolMOS™ C6 combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The offered device provides all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter and cooler.
  • Extremely low losses due to very low figure of merit (RDS (ON) x Qg and EOSS)
  • Very high commutation ruggedness
  • Easy to use
  • Better light load efficiency
  • Outstanding reliability with proven CoolMOS™ quality combined with high body diode ruggedness
  • Better performance in comparison to previous CoolMOS™ generations
  • More efficient, more compact, lighter and cooler
  • Improved power density
  • Improved reliability
  • General purpose part can be used in both soft and hard switching topologies
  • Improved efficiency in hard switching applications
  • Reduces possible ringing due to PCB layout and package parasitic effects

工业, 电源管理, 替代能源, 消费电子产品, 通信与网络, 车用, 照明

IPW60R160C6FKSA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  23.8A  
  漏源电压, Vds  600V  
  在电阻RDS(上)  0.14ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  176W  
  晶体管封装类型  TO-247  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  -  
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IPW60R160C6FKSA1产地与重量

原产地:
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.00542
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