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IPW60R041C6FKSA1 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 77.5 A, 600 V, 0.037 ohm, 10 V, 3 V

INFINEON IPW60R041C6FKSA1
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制造商产品编号:
IPW60R041C6FKSA1
仓库库存编号:
1860840
技术数据表:
(EN)
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IPW60R041C6FKSA1产品概述

The IPW60R041C6 is a 600V N-channel CoolMOS™ Power MOSFET designed according to the Superjunction (SJ) principle with high class innovation. The C6 MOSFET provides all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, compact, lighter and cooler. CoolMOS™ Superjunction power MOSFET offers a significant reduction of conduction, switching and driving losses and enable high power density and efficiency for superior power conversion systems.
  • Easy to control of switching behaviour
  • Very high commutation ruggedness
  • Better light load efficiency compared to C3
  • Outstanding reliability with proven CoolMOS™ quality combined with high body diode ruggedness
  • Improved power density
  • Improved reliability
  • Improved efficiency in hard switching applications
  • Reduces possible ringing due to PCB layout

消费电子产品, 电源管理, 通信与网络, 计算机和计算机周边, 替代能源, 照明

IPW60R041C6FKSA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  77.5A  
  漏源电压, Vds  600V  
  在电阻RDS(上)  0.037ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  481W  
  晶体管封装类型  TO-247  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  -  
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IPW60R041C6FKSA1产地与重量

原产地:
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.008165
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