IPW50R190CEFKSA1,2480873,晶体管, MOSFET, N沟道, 18.5 A, 500 V, 0.17 ohm, 13 V, 3 V,INFINEON
laird代理商
专业代理销售laird(莱尔德)全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

IPW50R190CEFKSA1 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 18.5 A, 500 V, 0.17 ohm, 13 V, 3 V

INFINEON IPW50R190CEFKSA1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IPW50R190CEFKSA1
仓库库存编号:
2480873
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

IPW50R190CEFKSA1产品概述

The IPW50R190CE is a CoolMOS™ CE N-channel Power MOSFET optimized platform enabling to target cost sensitive applications by still meeting highest efficiency standards. The new series provides all benefits of a fast switching super-junction MOSFET while not sacrificing ease of use and offering the best performance ratio available on the market. The CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super-junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS™ CE series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation while representing a cost appealing alternative compared to standard MOSFETs in target applications. The resulting devices provide all benefits of a fast switching SJMOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter and cooler.
  • Reduced energy stored in output capacitance (Eoss)
  • High body diode ruggedness
  • Reduced reverse recovery charge (Qrr)
  • Reduced gate charge (Qg)
  • Easy control of switching behaviour
  • Better light load efficiency compared to previous CoolMOS™ generations
  • Outstanding quality and reliability of CoolMOS™ technology
  • Extremely low losses due to very low FOM RDS (ON), Qg and Eoss
  • Very high commutation ruggedness
  • Easy to use/drive
  • Halogen-free, Green device
  • Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)

电源管理, 照明, 消费电子产品, 计算机和计算机周边

IPW50R190CEFKSA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  18.5A  
  漏源电压, Vds  500V  
  在电阻RDS(上)  0.17ohm  
  电压 @ Rds测量  13V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  127W  
  晶体管封装类型  TO-247  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

IPW50R190CEFKSA1相关搜索

晶体管极性 N沟道  INFINEON 晶体管极性 N沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道   电流, Id 连续 18.5A  INFINEON 电流, Id 连续 18.5A  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 18.5A  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 18.5A   漏源电压, Vds 500V  INFINEON 漏源电压, Vds 500V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 500V  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 500V   在电阻RDS(上) 0.17ohm  INFINEON 在电阻RDS(上) 0.17ohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 0.17ohm  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 0.17ohm   电压 @ Rds测量 13V  INFINEON 电压 @ Rds测量 13V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 13V  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 13V   阈值电压 Vgs 3V  INFINEON 阈值电压 Vgs 3V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 3V  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 3V   功耗 Pd 127W  INFINEON 功耗 Pd 127W  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 127W  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 127W   晶体管封装类型 TO-247  INFINEON 晶体管封装类型 TO-247  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-247  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-247   针脚数 3引脚  INFINEON 针脚数 3引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚   工作温度最高值 150°C  INFINEON 工作温度最高值 150°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C   产品范围 -  INFINEON 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -   汽车质量标准 -  INFINEON 汽车质量标准 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -   MSL MSL 1 -无限制  INFINEON MSL MSL 1 -无限制  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

IPW50R190CEFKSA1产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.00443
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有:深圳市创唯电子有限公司 客服电话:400-900-3095 企业QQ:800152669 邮箱:sales@szcwdz.com