IPP90R1K2C3XKSA1,1664071,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V,INFINEON
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IPP90R1K2C3XKSA1 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V

INFINEON IPP90R1K2C3XKSA1
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制造商产品编号：
IPP90R1K2C3XKSA1
仓库库存编号：
1664071
技术数据表：
(EN)
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IPP90R1K2C3XKSA1产品概述

The IPP90R1K2C3 is a 900V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate charge. It is designed for quasi resonant flyback/forward topologies and PC silverbox applications.
  • Low figure-of-merit(FOM) RON x Qg
  • Extreme dV/dt rated
  • High peak current capability
  • Qualified according to JEDEC for target applications
  • Field proven CoolMOS™ quality

工业, 消费电子产品, 通信与网络, 电源管理, 照明

IPP90R1K2C3XKSA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  5.1A  
  漏源电压, Vds  900V  
  在电阻RDS（上）  0.94ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  83W  
  晶体管封装类型  TO-220  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  -  
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IPP90R1K2C3XKSA1产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00195
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