IPP70N10S312AKSA1,2480865,晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 70 A, 100 V, 0.0097 ohm, 10 V, 3 V,INFINEON
laird代理商
专业代理销售laird（莱尔德）全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

IPP70N10S312AKSA1 - 

晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 70 A, 100 V, 0.0097 ohm, 10 V, 3 V

INFINEON IPP70N10S312AKSA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IPP70N10S312AKSA1
仓库库存编号：
2480865
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

IPP70N10S312AKSA1产品概述

The IPP70N10S3-12 is a N-channel enhancement-mode MOSFET with lowest switching and conduction power losses for high thermal efficiency.
  • AEC-Q101 qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • Green device
  • 100% Avalanche tested
  • Highest current capability
  • Robust packages with superior quality and reliability
  • Optimized total gate charge enables smaller driver output stages

电源管理, 车用, 照明

IPP70N10S312AKSA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  70A  
  漏源电压, Vds  100V  
  在电阻RDS（上）  0.0097ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  125W  
  晶体管封装类型  TO-220  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

IPP70N10S312AKSA1替代选择

  • 制造商产品编号
  • 仓库库存编号
  • 制造商 / 说明 / 规格书
  • 操作

IPP70N10S312AKSA1相关搜索

晶体管极性 N沟道  INFINEON 晶体管极性 N沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道   电流, Id 连续 70A  INFINEON 电流, Id 连续 70A  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 70A  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 70A   漏源电压, Vds 100V  INFINEON 漏源电压, Vds 100V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 100V  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 100V   在电阻RDS（上） 0.0097ohm  INFINEON 在电阻RDS（上） 0.0097ohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 0.0097ohm  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 0.0097ohm   电压 @ Rds测量 10V  INFINEON 电压 @ Rds测量 10V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V   阈值电压 Vgs 3V  INFINEON 阈值电压 Vgs 3V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 3V  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 3V   功耗 Pd 125W  INFINEON 功耗 Pd 125W  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 125W  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 125W   晶体管封装类型 TO-220  INFINEON 晶体管封装类型 TO-220  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-220  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-220   针脚数 3引脚  INFINEON 针脚数 3引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚   工作温度最高值 175°C  INFINEON 工作温度最高值 175°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 175°C  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 175°C   产品范围 -  INFINEON 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -   汽车质量标准 AEC-Q101  INFINEON 汽车质量标准 AEC-Q101  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 AEC-Q101  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 AEC-Q101   MSL MSL 1 -无限制  INFINEON MSL MSL 1 -无限制  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

IPP70N10S312AKSA1产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.002008
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有：深圳市创唯电子有限公司 客服电话：400-900-3095 企业QQ：800152669 邮箱:sales@szcwdz.com