IPP075N15N3GXKSA1,1775632,晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 150 V, 6.2 mohm, 10 V, 3 V,INFINEON
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IPP075N15N3GXKSA1 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 150 V, 6.2 mohm, 10 V, 3 V

INFINEON IPP075N15N3GXKSA1
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制造商产品编号：
IPP075N15N3GXKSA1
仓库库存编号：
1775632
技术数据表：
(EN)
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IPP075N15N3GXKSA1产品概述

The IPP075N15N3 G is a 150V N-channel Power MOSFET that achieves a reduction in RDS (on) of 40% and of 45% in Figure of Merit (FOM). The OptiMOS™ MOSFET offers high system efficiency and industry's lowest RDS (on) within the voltage classes. It is ideally suited for high frequency switching applications and optimized technology for DC-DC converters.
  • Excellent switching performance
  • Environmentally-friendly
  • Increased efficiency
  • Highest power density
  • Less paralleling required
  • Smallest board-space consumption
  • Easy to design

电源管理, 电机驱动与控制, 工业, 音频

IPP075N15N3GXKSA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  100A  
  漏源电压, Vds  150V  
  在电阻RDS（上）  6.2mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  300W  
  晶体管封装类型  TO-220  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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QQ:800152669

IPP075N15N3GXKSA1产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.002
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