IPP029N06NAKSA1,2443443,晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 2.8 V,INFINEON

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IPP029N06NAKSA1 -

晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 2.8 V

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制造商：: INFINEON INFINEON
制造商产品编号：: IPP029N06NAKSA1
仓库库存编号：: 2443443
技术数据表：: (EN)

订购热线： 400-900-3095 0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com

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IPP029N06NAKSA1产品概述

The IPP029N06N is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). In addition these devices are a perfect choice for a broad range of industrial applications including solar micro inverter and fast switching DC-to-DC converter.

Less paralleling required
Increased power density
Very low voltage overshoot
MSL1 rated
40% lower RDS (ON)?than alternative devices
40% Improvement of FOM over similar devices
100% Avalanche tested
Superior thermal resistance
Qualified according to JEDEC for target applications
Halogen-free, Green device

电源管理, 电机驱动与控制, 工业, 通信与网络, 计算机和计算机周边, 消费电子产品, 便携式器材

IPP029N06NAKSA1产品信息

邮箱：sales@szcwdz.com
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IPP029N06NAKSA1产地与重量

原产地：: Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规：: 是
税则号：: 85412900
重量（千克）：: .003184

美国1号品牌选型新加坡2号品牌选型

英国2号品牌选型英国10号品牌选型

日本5号品牌选型

晶体管极性	N沟道
电流, Id 连续	100A
漏源电压, Vds	60V
在电阻RDS（上）	0.0027ohm
电压 @ Rds测量	10V
阈值电压 Vgs	2.8V
功耗 Pd	136W
晶体管封装类型	TO-220
针脚数	3引脚
工作温度最高值	175°C
产品范围	-
汽车质量标准	-
MSL	MSL 1 -无限制
关键词

IPP029N06NAKSA1 -

晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 2.8 V

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