IPN50R950CEATMA1,2617456,晶体管, MOSFET, N沟道, 6.6 A, 500 V, 0.86 ohm, 13 V, 3 V,INFINEON
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IPN50R950CEATMA1 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 6.6 A, 500 V, 0.86 ohm, 13 V, 3 V

INFINEON IPN50R950CEATMA1
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制造商产品编号：
IPN50R950CEATMA1
仓库库存编号：
2617456
技术数据表：
(EN)
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IPN50R950CEATMA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  6.6A  
  漏源电压, Vds  500V  
  在电阻RDS（上）  0.86ohm  
  电压 @ Rds测量  13V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  5W  
  晶体管封装类型  SOT-223  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  CoolMOS CE Series  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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IPN50R950CEATMA1产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00001
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