IPD90R1K2C3ATMA1,1664030,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V,INFINEON
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IPD90R1K2C3ATMA1 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V

INFINEON IPD90R1K2C3ATMA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IPD90R1K2C3ATMA1
仓库库存编号：
1664030
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IPD90R1K2C3ATMA1产品概述

The IPD90R1K2C3 is a 900V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate charge. It is designed for quasi resonant flyback/forward topologies and PC silverbox applications.
  • Low figure-of-merit(FOM) RON x Qg
  • Extreme dV/dt rated
  • High peak current capability
  • Qualified according to JEDEC for target applications
  • Low specific ON-state resistance
  • Very low energy storage in output capacitance (Eoss)
  • Field proven CoolMOS™ quality
  • High efficiency and power density
  • Outstanding performance
  • High reliability
  • Ease of use

工业, 电源管理, 照明, 消费电子产品

IPD90R1K2C3ATMA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  5.1A  
  漏源电压, Vds  900V  
  在电阻RDS（上）  1.2ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  83W  
  晶体管封装类型  TO-252  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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IPD90R1K2C3ATMA1产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.0003
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