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IPD35N10S3L26ATMA1 - 

晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 35 A, 100 V, 0.02 ohm, 10 V, 1.7 V

INFINEON IPD35N10S3L26ATMA1
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制造商产品编号：
IPD35N10S3L26ATMA1
仓库库存编号：
2480829
技术数据表：
(EN)
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IPD35N10S3L26ATMA1产品概述

The IPD35N10S3L-26 is a N-channel enhancement-mode MOSFET with lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency.
  • AEC-Q101 qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • Green device
  • 100% Avalanche tested
  • Robust packages with superior quality and reliability
  • Optimized total gate charge enables smaller driver output stages

电源管理, 照明, 车用

IPD35N10S3L26ATMA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  35A  
  漏源电压, Vds  100V  
  在电阻RDS（上）  0.02ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  1.7V  
  功耗 Pd  71W  
  晶体管封装类型  TO-252  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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IPD35N10S3L26ATMA1替代选择

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IPD35N10S3L26ATMA1产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00143
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