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IPD30N10S3L34ATMA1 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 100 V, 0.0258 ohm, 10 V, 1.7 V

INFINEON IPD30N10S3L34ATMA1
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制造商产品编号：
IPD30N10S3L34ATMA1
仓库库存编号：
2432729RL
技术数据表：
(EN)
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IPD30N10S3L34ATMA1产品概述


车用

IPD30N10S3L34ATMA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  30A  
  漏源电压, Vds  100V  
  在电阻RDS（上）  0.0258ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  1.7V  
  功耗 Pd  57W  
  晶体管封装类型  TO-252  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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IPD30N10S3L34ATMA1产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00059
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