IPD30N06S2L13ATMA1,2443394,晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 0.0106 ohm, 10 V, 1.6 V,INFINEON
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IPD30N06S2L13ATMA1 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 0.0106 ohm, 10 V, 1.6 V

INFINEON IPD30N06S2L13ATMA1
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制造商产品编号：
IPD30N06S2L13ATMA1
仓库库存编号：
2443394
技术数据表：
(EN)
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IPD30N06S2L13ATMA1产品概述

The IPD30N06S2L-13 is a N-channel logic level enhancement-mode MOSFET with lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency.
  • AEC-Q101 qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • Green device
  • 100% Avalanche tested
  • Highest current capability
  • World's lowest RDS at 55V (on) in planar technology
  • Optimized total gate charge enables smaller driver output stages

电机驱动与控制, 照明, 车用, 电源管理

IPD30N06S2L13ATMA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  30A  
  漏源电压, Vds  55V  
  在电阻RDS（上）  0.0106ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  1.6V  
  功耗 Pd  136W  
  晶体管封装类型  TO-252  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

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电话:400-900-3095
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IPD30N06S2L13ATMA1产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.0003
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