IPD180N10N3GATMA1,2443433,晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 100 V, 0.0147 ohm, 10 V, 2.7 V,INFINEON
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IPD180N10N3GATMA1 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 100 V, 0.0147 ohm, 10 V, 2.7 V

INFINEON IPD180N10N3GATMA1
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制造商产品编号：
IPD180N10N3GATMA1
仓库库存编号：
2443433
技术数据表：
 
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IPD180N10N3GATMA1产品概述

The IPD180N10N3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS (ON) and FOM.
  • Excellent switching performance
  • World's lowest RDS (ON)
  • Very low Qg?and Qgd
  • Excellent gate charge x RDS (ON)?product (FOM)
  • Environmentally friendly
  • Highest power density
  • Less paralleling required
  • Smallest board-space consumption
  • Easy-to-design products
  • Halogen-free
  • MSL1 rated 2

电源管理, 音频, 电机驱动与控制, 工业, 车用

IPD180N10N3GATMA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  43A  
  漏源电压, Vds  100V  
  在电阻RDS（上）  0.0147ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2.7V  
  功耗 Pd  71W  
  晶体管封装类型  TO-252  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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电话:400-900-3095
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IPD180N10N3GATMA1产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.0003
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