IPD068P03L3GATMA1,2480818,晶体管, MOSFET, P沟道, -70 A, -30 V, 0.005 ohm, -10 V, -1.5 V,INFINEON
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IPD068P03L3GATMA1 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -70 A, -30 V, 0.005 ohm, -10 V, -1.5 V

INFINEON IPD068P03L3GATMA1
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制造商产品编号：
IPD068P03L3GATMA1
仓库库存编号：
2480818
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IPD068P03L3GATMA1产品概述

The IPD068P03L3 G is an OptiMOS™ P-channel Power MOSFET consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics.
  • Enhancement-mode
  • 100% Avalanche rated
  • Small signal packages approved to AEC-Q101
  • Qualified to JEDEC for target applications
  • Halogen-free, Green device

电源管理, 车用, 电机驱动与控制, 消费电子产品, 便携式器材, 计算机和计算机周边

IPD068P03L3GATMA1产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -70A  
  漏源电压, Vds  -30V  
  在电阻RDS（上）  0.005ohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -1.5V  
  功耗 Pd  100W  
  晶体管封装类型  TO-252  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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IPD068P03L3GATMA1产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00143
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