IPD048N06L3 G,2480815,晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0037 ohm, 10 V, 1.7 V,INFINEON

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IPD048N06L3 G -

晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0037 ohm, 10 V, 1.7 V

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制造商：: INFINEON INFINEON
制造商产品编号：: IPD048N06L3 G
仓库库存编号：: 2480815
技术数据表：: (EN)

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IPD048N06L3 G产品概述

The IPD048N06L3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). It can be used for a broad range of industrial applications including solar micro inverter and fast switching DC-to-DC converter.

Excellent gate charge x RDS (ON)?product (FOM)
Very low ON-resistance RDS (ON)
Ideal for fast switching applications
MSL1 rated
Highest system efficiency
Increased power density
Very low voltage overshoot
Optimized technology for DC-to-DC converters
Normal level
100% Avalanche tested

Qualified according to JEDEC for target applications
Green device

电源管理, 电机驱动与控制, 工业, 消费电子产品, 便携式器材, 通信与网络, 计算机和计算机周边

IPD048N06L3 G产品信息

参考价格及参考库存

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型号	制造商	描述	操作
IPD048N06L3GBTMA1 [更多]	Infineon Technologies AG	MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 RoHS: Compliant \| pbFree: Yes	搜索查看资料
IPD048N06L3GBTMA1 [更多]	Infineon Technologies AG	MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 RoHS: Compliant \| pbFree: Yes	搜索查看资料
IPD048N06L3GBTMA1 [更多]	Infineon Technologies AG	MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 RoHS: Compliant \| pbFree: Yes	搜索查看资料

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IPD048N06L3 G
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Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

RoHS: Compliant

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IPD048N06L3GBTMA1
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

RoHS: Compliant

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型号	制造商	描述	操作
IPD048N06L3G [更多]	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: IPD048N06L3G) RoHS: Compliant	搜索
IPD048N06L3GXT [更多]	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R - Tape and Reel (Alt: IPD048N06L3GBTMA1) RoHS: Compliant	搜索
IPD048N06L3GBTMA1 [更多]	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: IPD048N06L3GBTMA1) RoHS: Compliant	搜索

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IPD048N06L3 G
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Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 60V, 90A, TO-252-3

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IPD048N06L3 G
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Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 60V, 90A, TO-252-3

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IPD048N06L3GBTMA1
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Infineon Technologies AG

Single N-Channel 60 V 4.8 mOhm 37 nC OptiMOS? Power Mosfet - DPAK

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Infineon Technologies AG

Single N-Channel 60 V 4.8 mOhm 37 nC OptiMOS? Power Mosfet - DPAK

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	IPD048N06L3 G Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3	查价格库存查看详细
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IPD048N06L3 G	2480815	INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0037 ohm, 10 V, 1.7 V (EN)	搜索
IPD048N06L3 G	2480815RL	INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0037 ohm, 10 V, 1.7 V (EN)	搜索

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	IPD048N06L3 G Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3	查价格库存查看详细

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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD048N06L3 G, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装

制造商零件编号：
IPD048N06L3 G
品牌：
Infineon
库存编号：
906-2896

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Q Q：800152669
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IPD048N06L3 G产地与重量

原产地：: Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规：: 是
税则号：: 85412900
重量（千克）：: .00143

美国1号品牌选型新加坡2号品牌选型

英国2号品牌选型英国10号品牌选型

日本5号品牌选型

晶体管极性	N沟道
电流, Id 连续	90A
漏源电压, Vds	60V
在电阻RDS（上）	0.0037ohm
电压 @ Rds测量	10V
阈值电压 Vgs	1.7V
功耗 Pd	115W
晶体管封装类型	TO-252
针脚数	3引脚
工作温度最高值	175°C
产品范围	-
汽车质量标准	-
MSL	MSL 1 -无限制
关键词

IPD048N06L3 G -

晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0037 ohm, 10 V, 1.7 V

IPD048N06L3 G产品概述

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晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 1.7 V

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