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IPB80N08S2L07ATMA1 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.0063 ohm, 4.5 V, 1.6 V

INFINEON IPB80N08S2L07ATMA1
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制造商产品编号：
IPB80N08S2L07ATMA1
仓库库存编号：
2480812RL
技术数据表：
(EN)
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IPB80N08S2L07ATMA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  80A  
  漏源电压, Vds  75V  
  在电阻RDS（上）  0.0063ohm  
  电压 @ Rds测量  4.5V  
  阈值电压 Vgs  1.6V  
  功耗 Pd  300W  
  晶体管封装类型  TO-263  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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IPB80N08S2L07ATMA1产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00143
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