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IPB180P04P4L02ATMA1 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -180 A, -40 V, 0.0018 ohm, -10 V, -1.7 V

INFINEON IPB180P04P4L02ATMA1
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制造商产品编号：
IPB180P04P4L02ATMA1
仓库库存编号：
2443386RL
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IPB180P04P4L02ATMA1产品概述

The IPB180P04P4L-02 is an OptiMOS? P2 P-channel logic level enhancement mode Power Transistor feature intended for reverse battery protection, no charge pump required for high side drive and simple interface drive circuit.
  • High current capability
  • Lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
  • AEC-Q101 Qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • Green product

电源管理, 电机驱动与控制, 车用

IPB180P04P4L02ATMA1产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -180A  
  漏源电压, Vds  -40V  
  在电阻RDS（上）  0.0018ohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -1.7V  
  功耗 Pd  150W  
  晶体管封装类型  TO-263  
  针脚数  7引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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QQ:800152669

IPB180P04P4L02ATMA1产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00181
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