IPB180P04P4L02ATMA1,2443386,晶体管, MOSFET, P沟道, -180 A, -40 V, 0.0018 ohm, -10 V, -1.7 V,INFINEON
laird代理商
专业代理销售laird（莱尔德）全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

IPB180P04P4L02ATMA1 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -180 A, -40 V, 0.0018 ohm, -10 V, -1.7 V

INFINEON IPB180P04P4L02ATMA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IPB180P04P4L02ATMA1
仓库库存编号：
2443386
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

IPB180P04P4L02ATMA1产品概述

The IPB180P04P4L-02 is an OptiMOS™ P2 P-channel logic level enhancement mode Power Transistor feature intended for reverse battery protection, no charge pump required for high side drive and simple interface drive circuit.
  • High current capability
  • Lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
  • AEC-Q101 Qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • Green product

电源管理, 电机驱动与控制, 车用

IPB180P04P4L02ATMA1产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -180A  
  漏源电压, Vds  -40V  
  在电阻RDS（上）  0.0018ohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -1.7V  
  功耗 Pd  150W  
  晶体管封装类型  TO-263  
  针脚数  7引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

IPB180P04P4L02ATMA1关联产品

  • 制造商产品编号
  • 仓库库存编号
  • 制造商 / 说明 / 规格书
  • 操作

IPB180P04P4L02ATMA1相关搜索

晶体管极性 P沟道  INFINEON 晶体管极性 P沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道   电流, Id 连续 -180A  INFINEON 电流, Id 连续 -180A  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -180A  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -180A   漏源电压, Vds -40V  INFINEON 漏源电压, Vds -40V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -40V  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -40V   在电阻RDS（上） 0.0018ohm  INFINEON 在电阻RDS（上） 0.0018ohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 0.0018ohm  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 0.0018ohm   电压 @ Rds测量 -10V  INFINEON 电压 @ Rds测量 -10V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V   阈值电压 Vgs -1.7V  INFINEON 阈值电压 Vgs -1.7V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -1.7V  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -1.7V   功耗 Pd 150W  INFINEON 功耗 Pd 150W  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 150W  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 150W   晶体管封装类型 TO-263  INFINEON 晶体管封装类型 TO-263  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-263  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-263   针脚数 7引脚  INFINEON 针脚数 7引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 7引脚  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 7引脚   工作温度最高值 175°C  INFINEON 工作温度最高值 175°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 175°C  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 175°C   产品范围 -  INFINEON 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -   汽车质量标准 AEC-Q101  INFINEON 汽车质量标准 AEC-Q101  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 AEC-Q101  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 AEC-Q101   MSL MSL 1 -无限制  INFINEON MSL MSL 1 -无限制  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

IPB180P04P4L02ATMA1产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00181
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有：深圳市创唯电子有限公司 客服电话：400-900-3095 企业QQ：800152669 邮箱:sales@szcwdz.com