IPB180N04S400ATMA1,2480805,晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 40 V, 0.0008 ohm, 10 V, 3 V,INFINEON
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IPB180N04S400ATMA1 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 40 V, 0.0008 ohm, 10 V, 3 V

INFINEON IPB180N04S400ATMA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IPB180N04S400ATMA1
仓库库存编号：
2480805
技术数据表：
(EN)
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IPB180N04S400ATMA1产品概述

The IPB180N04S4-00 is a N-channel enhancement-mode MOSFET with lowest switching and conduction power losses for high thermal efficiency.
  • AEC qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • Green device
  • Ultra low RDS (ON)
  • 100% Avalanche tested
  • Highest current capability
  • Robust packages with superior quality and reliability
  • Optimized total gate charge enables smaller driver output stages

电源管理, 电机驱动与控制, HVAC, 车用

IPB180N04S400ATMA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  180A  
  漏源电压, Vds  40V  
  在电阻RDS（上）  800μohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  300W  
  晶体管封装类型  TO-263  
  针脚数  7引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  MSL 3 - 168小时  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IPB180N04S400ATMA1产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00143
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