IPB120P04P4L03ATMA1,2480803RL,晶体管, MOSFET, P沟道, -120 A, -40 V, 0.0026 ohm, -10 V, -1.7 V,INFINEON
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IPB120P04P4L03ATMA1
IPB120P04P4L03ATMA1 -
晶体管, MOSFET, P沟道, -120 A, -40 V, 0.0026 ohm, -10 V, -1.7 V
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
INFINEON
INFINEON
制造商产品编号:
IPB120P04P4L03ATMA1
仓库库存编号:
2480803RL
技术数据表:
(EN)
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IPB120P04P4L03ATMA1产品信息
晶体管极性
P沟道
电流, Id 连续
-120A
漏源电压, Vds
-40V
在电阻RDS(上)
0.0026ohm
电压 @ Rds测量
-10V
阈值电压 Vgs
-1.7V
功耗 Pd
136W
晶体管封装类型
TO-263
针脚数
3引脚
工作温度最高值
175°C
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
MSL
MSL 3 - 168小时
关键词
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晶体管极性 P沟道
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电流, Id 连续 -120A
INFINEON 电流, Id 连续 -120A
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -120A
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漏源电压, Vds -40V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -40V
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在电阻RDS(上) 0.0026ohm
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 0.0026ohm
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电压 @ Rds测量 -10V
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阈值电压 Vgs -1.7V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -1.7V
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功耗 Pd 136W
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晶体管封装类型 TO-263
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-263
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针脚数 3引脚
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚
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工作温度最高值 175°C
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 175°C
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汽车质量标准 AEC-Q101
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 AEC-Q101
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MSL MSL 3 - 168小时
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 3 - 168小时
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IPB120P04P4L03ATMA1产地与重量
原产地:
Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412900
重量(千克):
.00143
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