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IPB120P04P4L03ATMA1 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -120 A, -40 V, 0.0026 ohm, -10 V, -1.7 V

INFINEON IPB120P04P4L03ATMA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IPB120P04P4L03ATMA1
仓库库存编号：
2480803
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IPB120P04P4L03ATMA1产品概述

The IPB120P04P4L-03 is a P-channel enhancement-mode MOSFET with lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency.
  • Logic level
  • AEC qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • Green device
  • 100% Avalanche tested
  • Simple interface drive circuit
  • World's lowest RDS (ON) at 40V
  • Highest current capability
  • Lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
  • Robust packages with superior quality and reliability

电源管理, 电机驱动与控制, 车用

IPB120P04P4L03ATMA1产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -120A  
  漏源电压, Vds  -40V  
  在电阻RDS（上）  0.0026ohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -1.7V  
  功耗 Pd  136W  
  晶体管封装类型  TO-263  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  MSL 3 - 168小时  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IPB120P04P4L03ATMA1产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00143
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