IPB019N08N3GATMA1,1775520,晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 80 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2.8 V,INFINEON
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IPB019N08N3GATMA1 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 80 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2.8 V

INFINEON IPB019N08N3GATMA1
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制造商产品编号：
IPB019N08N3GATMA1
仓库库存编号：
1775520
技术数据表：
(EN)
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IPB019N08N3GATMA1产品概述

The IPB019N08N3 G is an OptiMOS™ 3 N-channel Power Transistor with superior thermal resistance, excellent gate charge x R DS (ON) product (FOM) and dual-sided cooling. Optimized technology for DC/DC converters.
  • Excellent gate charge
  • Very low on resistance
  • 100% Avalanche tested
  • Low parasitic inductance
  • Halogen-free

电源管理, 消费电子产品, 通信与网络, 电机驱动与控制

IPB019N08N3GATMA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  180A  
  漏源电压, Vds  80V  
  在电阻RDS（上）  0.0016ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2.8V  
  功耗 Pd  300W  
  晶体管封装类型  TO-263  
  针脚数  7引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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IPB019N08N3GATMA1产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.002
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