IPB017N06N3GATMA1,1775519,晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 60 V, 1.3 mohm, 10 V, 3 V,INFINEON
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IPB017N06N3GATMA1 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 60 V, 1.3 mohm, 10 V, 3 V

INFINEON IPB017N06N3GATMA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IPB017N06N3GATMA1
仓库库存编号：
1775519
技术数据表：
(EN)
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IPB017N06N3GATMA1产品概述

The IPB017N06N3 G is a 60V N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers, desktops and tablet charger. Dramatically reduced gate charge and output charge enable high system efficiency and power density. The OptiMOS™ power MOSFET is ideally suited for high frequency switching and DC-DC converters.
  • Highest system efficiency
  • Less paralleling required
  • Increased power density
  • Very low voltage overshoot
  • Superior thermal resistance

电源管理, 替代能源, 电机驱动与控制, 工业

IPB017N06N3GATMA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  180A  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS（上）  1.3mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  250W  
  晶体管封装类型  TO-263  
  针脚数  7引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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IPB017N06N3GATMA1产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.002
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