IPB011N04NGATMA1,1775516,晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 40 V, 0.0009 ohm, 10 V, 4 V,INFINEON
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IPB011N04NGATMA1 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 40 V, 0.0009 ohm, 10 V, 4 V

INFINEON IPB011N04NGATMA1
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制造商产品编号：
IPB011N04NGATMA1
仓库库存编号：
1775516
技术数据表：
(EN)
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IPB011N04NGATMA1产品概述

The IPB011N04N G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). In addition it can be used for a broad range of industrial applications including fast switching DC-to-DC converter.
  • Excellent gate charge x RDS (ON)?product (FOM)
  • Very low ON-resistance RDS (ON)
  • Ideal for fast switching applications
  • MSL1 rated
  • Highest system efficiency
  • Increased power density
  • Very low voltage overshoot
  • Normal level
  • Avalanche tested
  • Halogen-free, Green device

电源管理, 电机驱动与控制, 工业

IPB011N04NGATMA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  180A  
  漏源电压, Vds  40V  
  在电阻RDS（上）  0.0009ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  4V  
  功耗 Pd  250W  
  晶体管封装类型  TO-263  
  针脚数  7引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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IPB011N04NGATMA1产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.002
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