FP15R12W1T4_B3,1833569,晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 15 A, 1.85 V, 130 W, 1.2 kV, Module,INFINEON
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FP15R12W1T4_B3
FP15R12W1T4_B3 -
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 15 A, 1.85 V, 130 W, 1.2 kV, Module
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制造商:
INFINEON
INFINEON
制造商产品编号:
FP15R12W1T4_B3
仓库库存编号:
1833569
技术数据表:
(EN)
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400-900-3095 0755-21000796, QQ:
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FP15R12W1T4_B3产品信息
晶体管极性
N沟道
集电极直流电流
15A
集电极发射饱和电压, Vce
1.85V
功耗 Pd
130W
集电极发射电压, Vceo
1.2kV
晶体管封装类型
Module
针脚数
20引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
关键词
FP15R12W1T4_B3关联产品
制造商产品编号
仓库库存编号
制造商 / 说明 / 规格书
操作
FP25R12W2T4
1833566
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 25 A, 1.85 V, 175 W, 1.2 kV, Module
(EN)
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功耗 Pd 130W
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针脚数 20引脚
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IGBT阵列和模块 针脚数 20引脚
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工作温度最高值 150°C
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IGBT阵列和模块 工作温度最高值 150°C
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FP15R12W1T4_B3产地与重量
原产地:
Germany
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85413000
重量(千克):
.024
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