FF600R12ME4BOSA1,2726148,晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 995 A, 1.75 V, 4.05 kW, 1.2 kV, Module,INFINEON
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FF600R12ME4BOSA1
FF600R12ME4BOSA1 -
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 995 A, 1.75 V, 4.05 kW, 1.2 kV, Module
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制造商:
INFINEON
INFINEON
制造商产品编号:
FF600R12ME4BOSA1
仓库库存编号:
2726148
技术数据表:
(EN)
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400-900-3095 0755-21000796, QQ:
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FF600R12ME4BOSA1产品信息
晶体管极性
N沟道
集电极直流电流
995A
集电极发射饱和电压, Vce
1.75V
功耗 Pd
4.05kW
集电极发射电压, Vceo
1.2kV
晶体管封装类型
Module
针脚数
-
工作温度最高值
150°C
产品范围
EconoDUAL 3 Series
关键词
FF600R12ME4BOSA1相关搜索
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集电极发射饱和电压, Vce 1.75V
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功耗 Pd 4.05kW
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IGBT阵列和模块 功耗 Pd 4.05kW
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集电极发射电压, Vceo 1.2kV
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IGBT阵列和模块 集电极发射电压, Vceo 1.2kV
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晶体管封装类型 Module
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IGBT阵列和模块 晶体管封装类型 Module
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针脚数 -
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工作温度最高值 150°C
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IGBT阵列和模块 工作温度最高值 150°C
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产品范围 EconoDUAL 3 Series
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IGBT阵列和模块 产品范围 EconoDUAL 3 Series
INFINEON IGBT阵列和模块 产品范围 EconoDUAL 3 Series
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Q Q:
800152669
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FF600R12ME4BOSA1产地与重量
原产地:
Germany
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85359000
重量(千克):
.000356
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英国2号品牌选型
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