FF100R12RT4HOSA1,2726116,晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 100 A, 1.75 V, 555 W, 1.2 kV, Module,INFINEON
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FF100R12RT4HOSA1 - 

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 100 A, 1.75 V, 555 W, 1.2 kV, Module

INFINEON FF100R12RT4HOSA1
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制造商产品编号：
FF100R12RT4HOSA1
仓库库存编号：
2726116
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FF100R12RT4HOSA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  集电极直流电流  100A  
  集电极发射饱和电压, Vce  1.75V  
  功耗 Pd  555W  
  集电极发射电压, Vceo  1.2kV  
  晶体管封装类型  Module  
  针脚数  -  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
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FF100R12RT4HOSA1产地与重量

原产地：
Slovak Republic

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00016
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