BSZ067N06LS3GATMA1,2212830,晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 0.005 ohm, 10 V, 1.7 V,INFINEON
laird代理商
专业代理销售laird（莱尔德）全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

BSZ067N06LS3GATMA1 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 0.005 ohm, 10 V, 1.7 V

INFINEON BSZ067N06LS3GATMA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
BSZ067N06LS3GATMA1
仓库库存编号：
2212830
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
您可通过官网直接下单选定型号并完成支付（请确保型号准确），销售团队将同步审核；线下合同交易模式同步开放，具体流程请联系我司业务代表。


数据正在加载中...

BSZ067N06LS3GATMA1产品概述

The BSZ067N06LS3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). It can be used for a broad range of industrial applications including solar micro inverter and fast switching DC-to-DC converter.
  • Excellent gate charge x RDS (ON)?product (FOM)
  • Very low ON-resistance RDS (ON)
  • Ideal for fast switching applications
  • MSL1 rated
  • Highest system efficiency
  • Increased power density
  • Very low voltage overshoot
  • Optimized technology for DC-to-DC converters
  • Normal level
  • 100% Avalanche tested
  • Qualified according to JEDEC for target applications
  • Halogen-free, Green device

电源管理, 电机驱动与控制, 工业, 消费电子产品, 便携式器材, 通信与网络, 计算机和计算机周边

BSZ067N06LS3GATMA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  20A  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS（上）  0.005ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  1.7V  
  功耗 Pd  69W  
  晶体管封装类型  PG-TSDSON  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 3 - 168小时  
关键词         

BSZ067N06LS3GATMA1关联产品

BSZ067N06LS3GATMA1相关搜索

晶体管极性 N沟道  INFINEON 晶体管极性 N沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道   电流, Id 连续 20A  INFINEON 电流, Id 连续 20A  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 20A  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 20A   漏源电压, Vds 60V  INFINEON 漏源电压, Vds 60V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 60V  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 60V   在电阻RDS（上） 0.005ohm  INFINEON 在电阻RDS（上） 0.005ohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 0.005ohm  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 0.005ohm   电压 @ Rds测量 10V  INFINEON 电压 @ Rds测量 10V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V   阈值电压 Vgs 1.7V  INFINEON 阈值电压 Vgs 1.7V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 1.7V  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 1.7V   功耗 Pd 69W  INFINEON 功耗 Pd 69W  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 69W  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 69W   晶体管封装类型 PG-TSDSON  INFINEON 晶体管封装类型 PG-TSDSON  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 PG-TSDSON  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 PG-TSDSON   针脚数 8引脚  INFINEON 针脚数 8引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 8引脚  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 8引脚   工作温度最高值 150°C  INFINEON 工作温度最高值 150°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C   产品范围 -  INFINEON 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -   汽车质量标准 -  INFINEON 汽车质量标准 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -   MSL MSL 3 - 168小时  INFINEON MSL MSL 3 - 168小时  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 3 - 168小时  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 3 - 168小时  
参考价格及参考库存
  美国1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
BSZ067N06LS3GATMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
查看资料
BSZ067N06LS3GATMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
查看资料
BSZ067N06LS3GATMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
查看资料
  美国2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
BSZ067N06LS3 G
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

RoHS: Compliant

搜索
BSZ067N06LS3GATMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

RoHS: Compliant

搜索
  美国3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
BSZ067N06LS3GATMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON T/R (Alt: BSZ067N06LS3GATMA1)

RoHS: Compliant

搜索
BSZ067N06LS3GATMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON T/R - Tape and Reel (Alt: BSZ067N06LS3GATMA1)

RoHS: Compliant

搜索
  日本3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
BSZ067N06LS3GATMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

RoHS: Compliant

搜索
BSZ067N06LS3GATMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

RoHS: Compliant

搜索
BSZ067N06LS3GATMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

RoHS: Compliant

搜索
  新加坡2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
BSZ067N06LS3GATMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 60V, 20A, 8TSDSON

搜索
  新加坡1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
BSZ067N06LS3GATMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

Single N-Channel 60 V 6.7 mOhm 51 nC OptiMOS? Power Mosfet - TSDSON-8

RoHS: Not Compliant | pbFree: Yes

搜索
  www.szcwdz.com    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
无图BSZ067N06LS3GATMA1
Infineon Technologies		原厂原装货
暂无PDF 		查价格库存
查看详细
  新加坡2号仓库    查看更多相关产品
制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
BSZ067N06LS3GATMA1
INFINEON BSZ067N06LS3GATMA1		2212830

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 0.005 ohm, 10 V, 1.7 V

 (EN)		搜索
电话:400-900-3095
QQ:800152669

BSZ067N06LS3GATMA1产地与重量

原产地：
Philippines

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000097
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有：深圳市创唯电子有限公司 客服电话：400-900-3095 企业QQ：800152669 邮箱:sales@szcwdz.com
深圳市市场监督管理局企业主体身份公示