BSZ018NE2LSATMA1,2480779,晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 25 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2 V,INFINEON
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BSZ018NE2LSATMA1 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 25 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2 V

INFINEON BSZ018NE2LSATMA1
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制造商产品编号:
BSZ018NE2LSATMA1
仓库库存编号:
2480779
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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BSZ018NE2LSATMA1产品概述

The BSZ018NE2LS is a N-channel Power MOSFET with new OptiMOS™ 25V product family, sets new standards in power density and energy efficiency and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest ON-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solution applications. Available in half bridge configuration. It minimizes EMI in the system making external snubber networks obsolete and the products easy to design-in.
  • Reduces the number of phases in multiphase converters
  • Reduce power losses and increase efficiency for all load conditions
  • Save space with smallest packages like CanPAK™
  • Optimized for high performance Buck converter (Server, VGA)
  • Very Low FOMQOSS for High Frequency SMPS
  • Low FOMSW for High Frequency SMPS
  • Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
  • Very low ON-resistance RDS (ON) @ VGS = 4.5V
  • 100% Avalanche tested
  • Superior thermal resistance
  • Qualified according to JEDE for target applications
  • Halogen-free, Green device

电源管理, 电机驱动与控制, 发光二极管照明, 便携式器材, 消费电子产品

BSZ018NE2LSATMA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  40A  
  漏源电压, Vds  25V  
  在电阻RDS(上)  0.0015ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2V  
  功耗 Pd  69W  
  晶体管封装类型  TSDSON  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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BSZ018NE2LSATMA1产地与重量

原产地:
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.0005
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