BSS83PH6327XTSA1,2432722,晶体管, MOSFET, P沟道, -330 mA, -60 V, 1.4 ohm, -10 V, -1.5 V,INFINEON
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BSS83PH6327XTSA1 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -330 mA, -60 V, 1.4 ohm, -10 V, -1.5 V

INFINEON BSS83PH6327XTSA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
BSS83PH6327XTSA1
仓库库存编号：
2432722
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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BSS83PH6327XTSA1产品概述

The BSS83P H6327 is an OptiMOS™ P-channel Power MOSFET consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics.
  • Enhancement-mode
  • Avalanche rated
  • Small signal packages approved to AEC-Q101
  • Logic level
  • dV/dt Rated
  • Halogen-free, Green device

电源管理, 车用, 电机驱动与控制, 消费电子产品, 便携式器材, 计算机和计算机周边

BSS83PH6327XTSA1产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -330mA  
  漏源电压, Vds  -60V  
  在电阻RDS（上）  1.4ohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -1.5V  
  功耗 Pd  360mW  
  晶体管封装类型  SOT-23  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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BSS83PH6327XTSA1产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412100
重量（千克）：
.0005
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