BSO615NGHUMA1,2212861,双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.6 A, 60 V, 0.12 ohm, 4.5 V, 1.6 V,INFINEON
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BSO615NGHUMA1 - 

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.6 A, 60 V, 0.12 ohm, 4.5 V, 1.6 V

INFINEON BSO615NGHUMA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
BSO615NGHUMA1
仓库库存编号：
2212861
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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BSO615NGHUMA1产品概述

The BSO615N G is a dual N-channel SIPMOS? Small Signal Transistor perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops and tablet charger. In addition these devices can be used for a broad range of applications including solar micro inverter and fast switching DC-to-DC converter.
  • Excellent gate charge
  • Very low ON-resistance
  • Halogen-free
  • Highest system efficiency
  • Less paralleling required
  • Increased power density
  • Very low voltage overshoot

工业, 电源管理, 电机驱动与控制, 计算机和计算机周边

BSO615NGHUMA1产品信息

  晶体管极性  双N沟道  
  电流, Id 连续  2.6A  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS（上）  0.12ohm  
  电压 @ Rds测量  4.5V  
  阈值电压 Vgs  1.6V  
  功耗 Pd  2W  
  晶体管封装类型  SOIC  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  MSL 3 - 168小时  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

BSO615NGHUMA1产地与重量

原产地：
Indonesia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000175
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