BSO615CGHUMA1,2480777,双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.1 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1.6 V,INFINEON
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BSO615CGHUMA1 - 

双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.1 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1.6 V

INFINEON BSO615CGHUMA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
BSO615CGHUMA1
仓库库存编号：
2480777
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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BSO615CGHUMA1产品概述

The BSO615C G is a SIPMOS? dual N/P-channel enhancement-mode Small Signal Transistor for DC-to-DC converter and on-board charger applications. It is a complementary MOSFET with n-channel and a p-channel power transistor within the same package.
  • Avalanche rated
  • Logic level

工业, 电源管理, 电机驱动与控制, 车用

BSO615CGHUMA1产品信息

  晶体管极性  N和P沟道  
  电流, Id 连续  3.1A  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS（上）  0.07ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  1.6V  
  功耗 Pd  2W  
  晶体管封装类型  SOIC  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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BSO615CGHUMA1产地与重量

原产地：
Indonesia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.0005
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