BSO201SPHXUMA1,2480775,晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -20 V, 0.0067 ohm, -4.5 V, -900 mV,INFINEON
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BSO201SPHXUMA1
BSO201SPHXUMA1 -
晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -20 V, 0.0067 ohm, -4.5 V, -900 mV
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
INFINEON
INFINEON
制造商产品编号:
BSO201SPHXUMA1
仓库库存编号:
2480775
技术数据表:
(EN)
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400-900-3095 0755-21000796, QQ:
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BSO201SPHXUMA1产品概述
The BSO201SP H is an OptiMOS™ P-channel Power MOSFET consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics.
Enhancement-mode
Super logic level
Avalanche rated
Qualified to JEDEC for target applications
Halogen-free, Green device
电源管理, 电机驱动与控制, 消费电子产品, 便携式器材, 计算机和计算机周边
BSO201SPHXUMA1产品信息
晶体管极性
P沟道
电流, Id 连续
-12A
漏源电压, Vds
-20V
在电阻RDS(上)
0.0067ohm
电压 @ Rds测量
-4.5V
阈值电压 Vgs
-900mV
功耗 Pd
1.6W
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
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电流, Id 连续 -12A
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -12A
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漏源电压, Vds -20V
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在电阻RDS(上) 0.0067ohm
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电压 @ Rds测量 -4.5V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -4.5V
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阈值电压 Vgs -900mV
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功耗 Pd 1.6W
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晶体管封装类型 SOIC
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针脚数 8引脚
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Q Q:
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BSO201SPHXUMA1产地与重量
原产地:
China
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412900
重量(千克):
.0005
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日本5号品牌选型
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